狂砸55亿：Intel大连工厂转产存储芯片

据外电报道，英特尔周二表示，该公司计划让位于大连的半导体制造工厂转产存储芯片。在未来的三至五年内，该工厂的转产将为英特尔带来至少35亿美元的支出。英特尔称，该公司对大连工厂的投资最高将达到55亿美元。

英特尔大连工厂的转产，正值全球芯片产业掀起整合浪潮之时。中国当前正加速打造本地技术制造能力。

长期以来，英特尔的绝大多数营收都来自于计算机处理器和相关芯片业务。这家公司一直通过严格的控制制造技术，来防止竞争对手的抄袭。

英特尔大连工厂虽然创办于2010年，但是在制造工艺上却落后于其它英特尔工厂两代以上。英特尔表示，通过对该工厂的转产投资，它将成为领先的非易失性存储芯片（nonvolatile memory chips）制造商。非易失性存储芯片是指在断电的情况下，芯片依旧能够保存数据。

非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机、平板电脑的闪存芯片。英特尔此举不仅表明将进军存储芯片市场，而且会让存储芯片业务拥有更大的独立性。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片。该公司制造的产品，被英特尔用于硬盘和其它存储设备当中。英特尔和美光最近开发出3D NAND闪存技术。不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和美光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间。英特尔表示，大连工厂预计将从2016年下半年开始生产3D NAND闪存芯片。

除去常规闪存芯片之外，英特尔和美光最近还宣布联合开发出了3D XPoint技术，其速度是现有存储卡和计算机固态驱动器所用NAND闪存技术的1000倍。

英特尔负责非易失性存储芯片业务的副总裁罗伯·克鲁克（Rob Crooke）在博客中表示，“英特尔与美光的关系依旧很好。不过英特尔希望拥有额外提供闪存芯片的渠道。”他说，“大连工厂的转产是我们全球多元化供应战略的一部分，能够让我们更好地服务于客户。”