三星S6进入LPDDR4和UFS 2.0时代带来的改变

此外，在性能增强的同时，LPDDR4 RAM的核心电压也从1.2V下降到了1.1V，而在如今智能手机对RAM和续航的要求越来越高的情况下，LPDDR4 RAM在功耗上的优势无疑将吸引越来越多的厂商。

总体来说，LPDDR4 RAM和UFS 2.0闪存的出现可以说是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge此次相当重要的提升，这将为用户在进行高清视频播放录制、运行大型游戏和交换大型文件时提供更快更好的体验。