工艺落后于三星台积电，英特尔：别开玩笑

在上周英特尔召开的年度开发者信息技术峰会IDF 2016上，芯片巨头英特尔披露了不少关于当前和未来工艺制程技术的信息，这些东西此前英特尔一直很少提及，或者尽可能少得透露。那么，本次大会究竟英特尔提到了那些细节呢？

第二代14纳米工艺

英特尔最谈论的话题是基于目前制造技术的“衍生科技（Derivative Technologies）”。所谓衍生技术，按照英特尔的解释就是“性能得以提高，以及功能扩展变得越来越普遍”的技术。为此，英特尔发布了第一个基于衍生技术而来的技术：“14 ”，还可以称之为“14nm ”或第二代14纳米技术。

英特尔表示，该“衍生”技术在晶体管和金属叠层增强的情况下，可以让处理器起码得到12%左右的性能提升。

很显然，更完善的第二代14nm工艺将率先运用到英特尔即将推出的Kaby Lake微架构第七代酷睿处理器上。如果不出意外的话，2017年发布的14纳米服务器处理器，也将基于“14nm ”工艺打造。

10纳米工艺同样分三波产品

英特尔称，未来发布的10纳米工艺制程，也将根据衍生科技分迭代更新三次，分别为：“10”、“10 ”和“10 ”，支持多种最为领先的产品。

这就意味着，2017年下半年发布的10纳米技术产品只是第一代，随后还有延续两代，主要伴随着芯片底层架构的改进以及相关制程工艺的改进，而迎来适当的性能增强。

英特尔声称注重密度优势而非赶工

英特尔谈到了很多有关想制造技术的竞争优秀，特别是芯片单位密集的晶体管密度。在英特尔看来，在一个固定的芯片面积上，能够塞进更多的晶体管，则意味着拥有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工艺制程。

有意思的是，英特尔还讽刺了半导体行业的竞争对手台积电和三星，指出晶体管栅极与栅极之间的间距指标不如自家，特别是即将推出的10纳米制造技术上密度差距很大，相反英特尔则遥遥领先，晶体管鳞片间距做得最为紧密，而且鳞片更高、更薄，更易于提高晶体管的驱动电流和性能。