全球半导体支出缩减　三星、SK海力士逆流而上

韩国存储器芯片业界将主导设备投资(CAPEX)竞争。在其他地区竞争业者担忧IT产品需求趋缓，而缩减设备投资规模时，三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等韩国企业将反其道而行，扩大投资并推动微细制程尖端化等，致力于研发新技术，未来在竞争中将更具优势。

据韩国Newstomatoa报导，英特尔(Intel)决定将2015年设备投资规模，从87亿美元缩减11.5%至77亿美元；台积电设备投资规模也从120亿美元减少约8%至110亿美元。因IT装置等终端产业销售疲软，相关零组件需求减少，全球IT、系统芯片业者纷纷调降原定的设备投资规模。这也意味着下半年全球IT需求将钝化。

反观DRAM业者致力于扩大投资规模。上半年三星的投资额已达7.6兆韩元(约64亿美元)，以年度为基准，总投资额可能超过15兆韩元。2014年三星半导体设备投资规模为14.3兆韩元。

SK海力士上半年投资3.7兆韩元，较2014年增加35%。年度投资规模估计为6兆韩元。DRAM业界三哥美光(Micron)的投资规模将维持2015年初计划，约40亿美元，2016年设备投资规模估计将近50亿美元。

DRAM业者扩大投资设备，将无法排除DRAM的供需失衡的可能性。目前以PC和伺服器DRAM为中心，DRAM价格正在下滑，若出现供货过剩的情况，将加速跌价。

韩厂计划透过确保微细制程加强竞争力。透过引进尖端微细制程，提升产品性能并节约成本，一箭双鵰。韩厂若能较其他竞争业者先一步引进尖端制程，即使面临供过于求的情况，也能维持较他厂稳定的营收和获利。

三星2014年在PC DRAM、移动DRAM、伺服器DRAM等应用20纳米制程，2015年成功量产20纳米图形DRAM，持续提升20纳米DRAM在整体DRAM产品的比重。

生产20纳米级DRAM的SK海力士，预计2016年初完成伺服器及移动装置用DDR4 DRAM研发，将扩大20纳米制程产能。

韩国业者表示，受到终端产业不振和供货过剩影响，DRAM市场成长趋缓。以目前的情况来看，韩厂为领先其他竞争业者，朝着透过尖端微细制程提升竞争力的方向努力。