曝iPhone7又传新配置消息:将采用3D NAND闪存

苹果新一代手机iPhone 6s和iPhone 6s Plus还未正式发布，但是关于iPhone 7的传闻就应满天飞了。据外媒报道，SanDisk和东芝均推出了最新一代的3D NAND闪存，这种新闪存将很有可能被应用到苹果2016年推出的iPhone 7身上。

报道称，SanDisk和东芝现已开发出了世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。简单地说，这种32GB的闪存模块无论是在速度还是效率上，都要超过任何现有的产品。

这种256Gbit X3芯片采用了15nm的工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

更重要的是，苹果与SanDisk、东芝已经建立了合作伙伴关系，因此有理由相信苹果会在第一时间为自己的产品使用这种最新的闪存技术。目前，SanDisk和东芝已经完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一阶段的供货。